Blog về công ty Mingjiada Electronics Cung cấp Diode Schottky CoolSiC™ của Infineon

Mingjiada Electronics Cung cấp Diode Schottky CoolSiC™ của Infineon

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada — Nhà cung cấp lâu năm các diode silicon carbide Schottky CoolSiC™ của Infineon. Chúng tôi đồng thời thu mua hàng tồn kho mới, nguyên hộp, hàng dư thừa từ nhà máy và hàng dư thừa từ dự án thuộc dòng sản phẩm này, thiết lập mô hình kinh doanh hai chiều bao gồm cung cấp hàng có sẵn nguyên hộp và tái chế hàng tồn kho linh kiện. Toàn bộ dòng sản phẩm của chúng tôi bao gồm các sản phẩm chính hãng, nguyên bản. Chúng tôi hỗ trợ mua mẫu và các đơn đặt hàng số lượng lớn dài hạn, cung cấp nguồn cung ổn định cho các nhà sản xuất xe điện năng lượng mới, nhà sản xuất thiết bị lưu trữ năng lượng, nhà cung cấp giải pháp nguồn công nghiệp và nhà sản xuất trụ sạc.

Diode Schottky CoolSiC™ của Infineon là các thiết bị nguồn silicon carbide một chiều đã được chứng minh trong ngành. Tận dụng những ưu điểm vốn có của vật liệu SiC, chúng loại bỏ hoàn toàn tổn thất phục hồi ngược liên quan đến các diode phục hồi nhanh bằng silicon truyền thống. Dòng sản phẩm bao gồm nhiều mức điện áp khác nhau như 600V, 650V, 1200V và 2000V, bao gồm nhiều thế hệ nền tảng công nghệ như G3, G5 và G6. Các tùy chọn đóng gói bao gồm các thông số kỹ thuật phổ biến như TO-220, TO-247, DPAK và D2PAK, đáp ứng yêu cầu ứng dụng cấp công nghiệp và cấp ô tô.

Đặc điểm chính:
Điện tích phục hồi ngược bằng không; chỉ có tổn thất chuyển mạch điện dung. Tổn thất chuyển mạch không bị ảnh hưởng bởi dòng điện, nhiệt độ hoặc tốc độ chuyển mạch, giảm đáng kể nhiễu EMI;
Nhiệt độ mối nối hoạt động tối đa 175°C, phù hợp với điều kiện hoạt động nhiệt độ cao; điện áp rơi thuận có hệ số nhiệt độ dương nhẹ, giảm thiểu nguy cơ chạy trốn nhiệt khi nhiều thiết bị được kết nối song song;
Dòng G6 thế hệ mới đạt điện áp thuận (VF) thấp tới 1,25V, mang lại giá trị FOM toàn diện (Qc × VF) hàng đầu trong ngành;
Khả năng chống quá áp chuyển mạch dv/dt tuyệt vời và khả năng chịu dòng xung vượt trội, tương thích với các thiết kế CoolMOS™, IGBT và CoolSiC MOSFET.

Dòng sản phẩm của Mingjiada Electronics:
I. Diode Schottky CoolSiC™ 650V G5/G6
Dải dòng định mức từ 2A đến 40A, mang lại sự cân bằng giữa hiệu suất và hiệu quả chi phí, với cả các mẫu dòng AID cấp công nghiệp và cấp ô tô.
Các mẫu đại diện: IDH04G65C6, IDH10G65C5, AIDK10S65C5, AIDW16S65C5
Phù hợp cho các bộ PFC công suất nhỏ và vừa, bộ sạc trên xe (OBC) và nguồn điện viễn thông.
II. Diode Schottky CoolSiC™ 1200V G5
Dải dòng: 2A–150A; các tùy chọn điện áp cao phổ biến; linh kiện tiêu chuẩn cho các bộ biến tần PV và lưu trữ năng lượng công nghiệp.
Các mẫu đại diện: IDW20G120C5, IDW30G120C5, IDY40G120C5
III. Diode Schottky CoolSiC™ 2000V G5
Một giải pháp diode silicon carbide điện áp cao phổ biến trên thị trường, phù hợp cho các hệ thống liên kết DC điện áp cao; sử dụng gói TO247PLUS-4 để tăng khoảng cách cách điện.
Các mẫu đại diện: IDYH25G200C5, IDYH40G200C5, IDYH80G200C5

Các mẫu được chọn cung cấp bởi Mingjiada Electronics:
IDW16G65C5
IDK12G65C5
IDW12G65C5
IDH20G65C5
IDL06G65C5
IDH12G65C5
IDK06G65C5
IDW20G65C5
IDW40G65C5
IDH10G65C5
1DH04G65C5
IDK10G120C5
IDK16G120C5
IDK20G120C5
IDYH10G200C5
IDYH40G200C5
IDYH25G200C5
IDYH50G200C5
IDYH80G200C5
IDWD10G200C5
IDWD10G200C5
IDWD25G200C5
IDWD40G200C5
IDWD50G200C5
IDWD80G200C5
IDWD50G120C5
IDWD60G120C5
IDWD75G120C5
IDWD150G120C5

Các ứng dụng điển hình
Bộ biến tần quang điện, bộ chuyển đổi nguồn lưu trữ năng lượng (PCS), bộ sạc trên xe (OBC), bộ nguồn không gián đoạn công nghiệp (UPS), nguồn điện chuyển mạch máy chủ/viễn thông, máy hàn công suất cao, hệ thống truyền động động cơ, trụ sạc năng lượng mới, thiết bị chỉnh lưu điện áp cao.

Để biết thêm thông tin về diode Schottky CoolSiC™ của [Infineon] hoặc để yêu cầu báo giá mẫu, vui lòng truy cập trang web của Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) để biết thêm chi tiết về nguồn cung.