Mingjiada Electronics cung cấpBSC052N08NS5, một MOSFET điện kênh N 80V từ loạt OptiMOS TM 5 của Infineon, đóng gói trong gói PG-TDSON-8, phù hợp với các hệ thống chuyển đổi điện hiệu quả cao.
BSC052N08NS5Mô tả sản phẩm
BSC052N08NS5 là một MOSFET hiệu suất cao được tối ưu hóa cho các ứng dụng như viễn thông, nguồn điện máy chủ, biến tần năng lượng mặt trời, ổ điện áp thấp và bộ điều hợp.BSC052N08NS5 sử dụng công nghệ OptiMOSTM 5, đạt được giảm RDS ((on) lên đến 43% so với các thế hệ trước, cải thiện đáng kể mật độ điện và hiệu quả.
BSC052N08NS5Các đặc điểm chính
Kháng điện thấp (RDS ((on)): Chỉ 5,2mΩ @ VGS = 10V, giảm mất dẫn.
Khả năng dòng điện cao: dòng chảy thoát liên tục (ID) lên đến 95A, dòng xung (IDM) 380A.
Hiệu suất chuyển đổi nhanh: Thời gian tăng 7ns, thời gian giảm 5ns, giảm tổn thất chuyển đổi.
Sạc cổng thấp (Qg): 32nC @ VGS = 10V, cải thiện hiệu quả ổ đĩa.
Phạm vi hoạt động nhiệt độ rộng: -55 °C đến + 150 °C, phù hợp với môi trường khắc nghiệt.
BSC052N08NS5Các thông số chính
Mô hình: BSC052N08NS5
Điện áp nguồn thoát nước (VDS): 80V
Kháng bật (RDS ((on)): 5.2mΩ @10V
Sạc cổng (Qg): 32nC @10V
Bao bì: TDSON-8
Tần số chuyển đổi: 100kHz
BSC052N08NS5Các ứng dụng điển hình
Thiết bị liên lạc (ví dụ: nguồn cung cấp điện cho trạm cơ sở)
Các nguồn cung cấp điện máy chủ (sửa đồng bộ hiệu quả cao)
Máy biến đổi năng lượng mặt trời (chuyển đổi năng lượng mất mát thấp)
Động cơ điện áp thấp & xe điện nhẹ (hỗ trợ tải lượng điện cao)
Bộ điều hợp & nguồn điện công nghiệp (quản lý nhiệt tối ưu)
BSC052N08NS5, có công nghệ OptiMOS TM 5, vượt trội về hiệu quả cao và mất mát thấp, làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho thiết kế điện tử công suất.
Thông tin liên lạc
Điện thoại: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Trang chủ:http://www.integrated-ic.com
Người liên hệ: Mr. Sales Manager
Tel: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753
