Blog về công ty IXYS IXFX230N20T Các bóng bán dẫn MOSFET tăng cường kênh MOSFET

IXYSIXFX230N20TN-Channel Enhancement Power MOSFET Transistors

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,là nhà cung cấp hàng đầu trong ngành công nghiệp linh kiện điện tử, cung cấp cho khách hàng các IXYSIXFX230N20TN-channel tăng cường chế độ điện MOSFET transistor.IXFX230N20T, với các thông số hiệu suất xuất sắc và phạm vi ứng dụng rộng, đã trở thành một thành phần quan trọng trong quản lý điện và hệ thống chuyển đổi điện.

Tổng quan về sản phẩmIXFX230N20T:

IXFX230N20T là một MOSFET năng lượng hiệu suất cao có thiết kế cấu trúc chế độ tăng cường kênh N, được tối ưu hóa cho các ứng dụng điện và điện áp cao.IXFX230N20Tthiết bị tích hợp khả năng xử lý năng lượng mạnh mẽ trong gói TO-247-3, làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho các nguồn cung cấp điện công nghiệp, động cơ và hệ thống chuyển đổi năng lượng.

Thông số kỹ thuật củaIXFX230N20T:

Độ cực của bóng bán dẫn: kênh N

Số kênh: 1 kênh

Vds - Điện áp ngắt nguồn thoát nước: 200 V

Id - Dòng chảy liên tục: 230 A

Rds On - Kháng thoát nguồn: 7.5 mΩ

Vgs - Điện áp nguồn cổng: -20 V, +20 V

Vgs th - Điện áp ngưỡng nguồn cổng: 3 V

Qg - sạc cổng: 358 nC

Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -55°C

Nhiệt độ hoạt động tối đa: +175°C

Pd - Phân hao năng lượng: 1,67 kW

Chế độ kênh: Chế độ tăng cường

Trọng lượng đơn vị: 6 g

Đặc điểm củaIXFX230N20T:

Bao bì tiêu chuẩn quốc tế

Khả năng xử lý dòng điện cao

Diode nội bộ nhanh

Xếp hạng tuyết rơi

RDS thấp (được bật)

Điểm nhấn kỹ thuật chính củaIXFX230N20T:

Khả năng chịu điện cực cao: Điện thoát liên tục (Id) lên đến 230A (ở nhiệt độ Tc), cho phép IXFX230N20T đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng công suất cao

Đặc điểm trạng thái hoạt động tuyệt vời: kháng cự nguồn thoát nước (Rds ((on)) thấp đến 7,5mΩ, giảm đáng kể tổn thất trạng thái hoạt động và cải thiện hiệu quả hệ thống

Các thông số kỹ thuật điện áp mạnh mẽ: Điện áp ngắt nguồn thoát nước (Vds) 200V và phạm vi điện áp nguồn cổng (Vgs) ± 20V cung cấp một khu vực hoạt động an toàn rộng

Hiệu suất nhiệt vượt trội: Phân hao điện (Pd) lên đến 1,67kW (ở điều kiện Tc), hỗ trợ môi trường hoạt động nhiệt độ rộng từ -55 °C đến +175 °C

CácIXFX230N20Tsử dụng nền tảng công nghệ HiPerFET độc quyền của IXYS, tối ưu hóa cấu trúc thiết bị và tính chất vật liệu để đạt được sự cân bằng tối ưu giữa tốc độ chuyển đổi, kháng cự bật,và ổn định nhiệtMột điện tích cổng (Qg) của 358nC đảm bảo chuyển đổi chuyển đổi nhanh, trong khi điện áp ngưỡng cổng-nguồn (Vgs th) của 3V cung cấp độ nhạy điều khiển tuyệt vời.

Ứng dụngIXFX230N20T:

CácIXFX230N20TMOSFET năng lượng, với các đặc điểm điện xuất sắc của nó, cho thấy tiềm năng ứng dụng rộng trong nhiều lĩnh vực công nghiệp:

Hệ thống điện công nghiệp:

Thiết kế nguồn điện chuyển mạch công suất cao (SMPS), đặc biệt là cho các nguồn điện máy chủ và nguồn điện của trạm cơ sở viễn thông

Các bộ biến tần và các mô-đun điều chỉnh trong các hệ thống cung cấp điện không bị gián đoạn (UPS)

Máy điều khiển động cơ công nghiệp hỗ trợ các ứng dụng mô-men xoắn lớn

Các giai đoạn đầu ra năng lượng cho thiết bị hàn và máy cắt plasma

Năng lượng mới và chuyển đổi năng lượng:

Các mạch chuyển đổi DC-AC trong các biến tần mặt trời

Đơn vị điều chỉnh công suất trong hệ thống sản xuất điện gió

Các mô-đun quản lý năng lượng trong hệ thống lưu trữ năng lượng pin (BESS)

Các giai đoạn chuyển đổi năng lượng trong trạm sạc xe điện

Các ứng dụng hiệu suất cao khác:

Các giai đoạn đầu ra trong các bộ khuếch đại âm thanh, đặc biệt là các bộ khuếch đại công suất cao chuyên nghiệp

Các mạch cộng hưởng trong thiết bị sưởi ấm cảm ứng

Ứng dụng chuyển đổi nhanh trong hệ thống điện xung

Các công tắc tải lượng điện cao trong thiết bị thử nghiệm và đo lường

Ưu điểm thiết kế củaIXFX230N20T:

Hiệu quả cao: Khả năng điện trở thấp và tính năng chuyển đổi tối ưu làm giảm mất năng lượng, tăng hiệu quả tổng thể của hệ thống

Độ tin cậy cao: Bộ TO-247-3 cung cấp hiệu suất nhiệt tuyệt vời, kết hợp với phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng, đảm bảo hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt

Tính linh hoạt thiết kế: Một phạm vi điện áp ổ cổng rộng ± 20V đơn giản hóa thiết kế mạch điều khiển và tương thích với các đầu ra bộ điều khiển khác nhau