Blog về công ty IRFP3206 MOSFET kênh N: Phân tích chi tiết về Transistor hiệu ứng trường hiệu suất cao 60V/200A

Shenzhen Mingjiada Electronics – nhà phân phối của Infineon – có IRFP3206 MOSFET công suất kênh N StrongIRFET™ đơn 60V trong kho, đóng gói TO-247.

I. IRFP3206 Tổng quan sản phẩm

Sản phẩm IRFP3206 là một MOSFET công suất kênh N thuộc dòng HEXFET® của Infineon Technologies. Được sản xuất bằng công nghệ MOSFET Trench tiên tiến, nó có điện trở bật cực thấp và hiệu suất chuyển mạch vượt trội. Được đóng gói trong vỏ TO-247AC, thiết bị này được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng chuyển đổi nguồn dòng cao, hiệu suất cao và được công nhận trên toàn cầu là một trong những MOSFET công suất đóng gói TO-247 có điện trở bật thấp nhất trong phân khúc điện áp 60V.

Là một thiết bị chuyển mạch công suất cao, IRFP3206 hoạt động đặc biệt tốt trong các ứng dụng như chỉnh lưu đồng bộ hiệu suất cao, bộ nguồn không gián đoạn, chuyển mạch nguồn tốc độ cao và mạch tần số cao chuyển mạch cứng. Sản phẩm này đạt chứng nhận RoHS và không chì, tuân thủ các quy định môi trường hiện hành.

II. IRFP3206 Thông số kỹ thuật chính

Nhà sản xuất: Infineon

Mã sản phẩm: IRFP3206

Loại FET: Kênh N

Công nghệ: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)

Điện áp Drain-Source (Vdss): 60V

Dòng Drain liên tục (Id): 120A (giới hạn gói) / 200A (giới hạn wafer)

Dòng Drain xung: 840A

Điện trở bật RDS(on) (Điển hình): 2.4mΩ

Điện trở bật RDS(on) tối đa: 3.0 mΩ @ 75 A, 10 V

Điện áp ngưỡng cổng Vgs(th): 4 V @ 150 µA

Điện tích cổng Qg: 170 nC @ 10 V

Điện dung đầu vào Ciss: 6540 pF @ 50 V

Điện dung đầu ra Coss: 720 pF

Điện dung truyền ngược Crss: 360 pF

Công suất tiêu tán Pd: 280 W

Điện áp cổng-nguồn Vgs: ±20 V

Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55 °C đến +175 °C

Loại vỏ: TO-247AC (gắn xuyên lỗ)

Đóng gói: Ống, 25 chiếc mỗi ống

III. IRFP3206 Tính năng và ưu điểm sản phẩm

1. Điện trở bật cực thấp

IRFP3206 đạt điện trở bật thấp tới 2.4 mΩ (điển hình) dưới điện áp cổng 10 V, với mức tối đa chỉ 3.0 mΩ. RDS(on) cực thấp này giúp giảm tổn thất dẫn và tăng hiệu suất hệ thống, làm cho nó đặc biệt phù hợp với các ứng dụng chuyển đổi nguồn dòng cao.

2. Khả năng chịu dòng cao

Chip silicon cho phép dòng drain liên tục lên tới 200 A, trong khi vỏ được định mức 120 A; dòng xung có thể đạt 840 A, đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng công suất cao đòi hỏi khắt khe.

3. Khả năng chống Avalanche và dV/dt tuyệt vời

Thiết bị có khả năng chống cổng, chống Avalanche và chống dV/dt động được cải thiện, cho phép nó chịu được các xung điện áp và quá độ đột biến trong mạch một cách hiệu quả, từ đó nâng cao độ tin cậy của hệ thống.

4. Đặc tính điện dung và Avalanche SOA được đặc tả đầy đủ

Đặc tính điện dung và vùng hoạt động an toàn Avalanche (SOA) được đặc tả đầy đủ cung cấp cho kỹ sư các tham chiếu thiết kế chính xác, giảm thiểu rủi ro thiết kế.

5. Khả năng Diode tích hợp được tăng cường

Khả năng dV/dt và dI/dt của diode tích hợp được tăng cường giúp giảm tổn thất phục hồi ngược trong các ứng dụng như chỉnh lưu đồng bộ.

6. Vỏ TO-247AC tiêu chuẩn công nghiệp

Vỏ TO-247AC gắn xuyên lỗ mang lại hiệu suất nhiệt và độ bền cơ học tuyệt vời, hỗ trợ thiết kế bố cục PCB và thiết kế nhiệt.

IV. IRFP3206 Các lĩnh vực ứng dụng điển hình

Nhờ khả năng chịu dòng cao, điện trở bật thấp và độ bền vượt trội, IRFP3206 được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực sau:

Chỉnh lưu đồng bộ hiệu suất cao trong bộ nguồn chuyển mạch (SMPS): Điện trở bật cực thấp giúp cải thiện đáng kể hiệu suất chuyển đổi nguồn

Bộ nguồn không gián đoạn (UPS): Khả năng chịu dòng cao và hiệu suất nhiệt tuyệt vời đảm bảo hoạt động ổn định của hệ thống UPS

Công tắc nguồn tốc độ cao: Phù hợp cho các mạch chuyển đổi nguồn yêu cầu hoạt động chuyển mạch nhanh

Mạch chuyển mạch cứng và tần số cao: Đặc tính chuyển mạch vượt trội đáp ứng yêu cầu hoạt động tần số cao

Ổ đĩa động cơ DC: Khả năng chịu dòng cao phù hợp cho điều khiển động cơ công suất lớn

Hệ thống quản lý pin: Tổn thất điện trở bật thấp giúp kéo dài tuổi thọ pin

Bộ biến tần và bộ chuyển đổi DC-DC: Được sử dụng rộng rãi trong nhiều cấu trúc chuyển đổi nguồn khác nhau

Thông tin liên hệ

Tên công ty: Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Địa chỉ công ty: Phòng 1239–1241, Tòa nhà New Asia Guoli, Đường Zhenzhong, Quận Futian, Thâm Quyến, Tỉnh Quảng Đông

Điện thoại: 86-755-83294757 / 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Trang web chính thức: www.integrated-ic.com