Blog về công ty IPG20N04S4L-11 Infineon MOSFET hai kênh N-Channel hạng ô tô, 11,6mΩ Kháng cực thấp

IPG20N04S4L-11MOSFET hai kênh N-channel cấp ô tô - Shenzhen Mingjiada Electronics Co,Ltd.In Stock

Trong thiết kế điện tử ô tô và nguồn điện hiệu quả cao,IPG20N04S4L-11là một trong những lựa chọn hàng đầu cho các kỹ sư do hiệu suất tuyệt vời của nó.IPG20N04S4L-11 sử dụng công nghệ OptiMOS tiên tiến để cung cấp một kháng cự cực thấp (RDS(on)) của 11.6mΩ, làm giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng và cải thiện hiệu quả hệ thống.

Mô tả sản phẩmIPG20N04S4L-11
IPG20N04S4L-11 là một MOSFET tăng cường công suất N-channel kép từ Infineon, thuộc gia đình OptiMOS TM-T2, được thiết kế cho các ứng dụng điện tử ô tô và điều khiển công nghiệp.Có sẵn trong gói PG-TDSON-8-4 (5 x 6 mm), thiết bị có điện trở cực thấp (RDS(on) = 11,6 mΩ) và hỗ trợ điện áp nguồn thoát 40 V (VDS) và dòng thoát liên tục 20 A (ID),làm cho nó phù hợp với các ứng dụng như chuyển mạch điện hiệu quả cao, động cơ và các mô-đun điều khiển cơ thể (BCM).38 IPG20N04S4L là một MOSFET tăng cường công suất N-channel kép từ Infineon, một phần của gia đình OptiMOSTM-T2,được thiết kế cho các ứng dụng điện tử ô tô và điều khiển công nghiệp.

IPG20N04S4L-11 tuân thủ chứng nhận AEC-Q101, hoạt động ổn định trong phạm vi nhiệt độ từ -55 °C đến +175 °C,và hỗ trợ hàn tái dòng đỉnh 260 °C để đáp ứng các yêu cầu độ tin cậy cao của sản xuất điện tử ô tô.3 IPG20N04S4L-11 được thiết kế để đáp ứng nhu cầu sản xuất điện tử ô tô.

Các đặc điểm chính củaIPG20N04S4L-11
MOSFET kênh N kép: IPG20N04S4L-11 tích hợp hai MOSFET độc lập để tiết kiệm không gian PCB.
Chống quá thấp: RDS ((on) = 11,6mΩ (thường) để giảm mất điện.
Khả năng dòng điện cao: 20A dòng điện thoát liên tục (ID) cho các ứng dụng chuyển mạch công suất cao.
Chứng nhận loại ô tô: IPG20N04S4L-11 phù hợp với AEC-Q101 và hỗ trợ MSL1 (260 °C hàn lại).
Sạc cổng thấp (Qg): tối ưu hóa hiệu quả chuyển đổi cho điều khiển PWM tần số cao.
100% Avalanche Test: Tăng độ tin cậy của thiết bị dưới điện áp cao tạm thời.
Phù hợp với RoHS: thiết kế không chì thân thiện với môi trường.

Thông số kỹ thuật
Mô hình:IPG20N04S4L-11
Nhà sản xuất: Infineon
Gói: PG-TDSON-8-4 (5 x 6mm)
Số kênh: 2 (các kênh N kép)
Điện áp nguồn thoát nước (VDS): 40V
Dòng thoát liên tục (ID): 20A
Kháng bật (RDS ((on)): 11,6mΩ (thường)
Điện áp ngưỡng (VGS ((th)): 1,7V
Năng lượng đầu vào (Ciss): 1530pF (@ 25V VDS)
Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55 °C ~ +175 °C
Tiêu chuẩn tuân thủ: AEC-Q101, RoHS

Thông số kỹ thuật nổi bật củaIPG20N04S4L-11bao gồm:
Thiết kế kênh N kép: tiết kiệm không gian và đơn giản hóa bố trí mạch.
40V chịu điện áp: phù hợp với các hệ thống ô tô 12V/24V và các ứng dụng công nghiệp.
11.6mΩ RDS cực thấp ((on) (ở VGS = 10V): làm giảm tổn thất dẫn điện và cải thiện hiệu quả năng lượng.
Phù hợp với AEC-Q101: đáp ứng các yêu cầu độ tin cậy cao cấp ô tô.
Hiệu suất chuyển đổi tối ưu: kết hợp chuyển đổi tốc độ cao với nhiễu điện từ thấp (EMI).

IPG20N04S4L-11được sử dụng rộng rãi trong:
Máy chuyển đổi DC-DC cho ô tô
Các mô-đun động cơ
Hệ thống quản lý pin (BMS)
Chuyển đổi tải và các đơn vị phân phối điện

Hiện tại, Mingjiada, như một nhà cung cấp thành phần nổi tiếng, liên tục và ổn định cung cấpIPG20N04S4L-11, cung cấp cho khách hàng các sản phẩm gốc và hỗ trợ kỹ thuật.

Thông tin liên lạc:
Điện thoại: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Trang web:www.integrated-ic.com