Blog về công ty Infineon MOSFET công suất kênh N IPB117N20NFD OptiMOS™ FD, 200V

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiadalà nhà cung cấp chuyên về linh kiện điện tử, cung cấp nguồn hàng lâu dài MOSFET công suất kênh N hiệu suất cao của Infineon – do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao.. Sản phẩm này thuộc dòng OptiMOS™ FD, nổi tiếng về hiệu suất vượt trội và độ tin cậy cao, phù hợp với nhiều ứng dụng công suất lớn.

do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao. Tổng quan sản phẩm
IPB117N20NFD là transistor MOSFET công suất kênh N từ Infineon Technologies, sử dụng công nghệ OptiMOS™ FD (Fast Diode) tiên tiến.

IPB117N20NFD 200V này thuộc dòng OptiMOS™ FD, được tối ưu hóa đặc biệt cho việc chuyển mạch cứng diode thân.

IPB117N20NFD sử dụng gói TO-263-3 (còn được gọi là D2PAK), phù hợp với công nghệ gắn bề mặt, tạo điều kiện thuận lợi cho việc hàn và lắp ráp hiệu quả trên dây chuyền sản xuất tự động.

do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao. Các thông số hiệu suất chính
Điện áp Drain-Source (VDS): 200V
Điện trở On tối đa (FOS(uv)): 11.7mΩ
Dòng Drain liên tục (ID): 84A (ở Tc=25°C)
Dòng Drain xung: 336A (ở Tc=25°C, I0=67A, R0B=25Ω)
Đỉnh dv/dt diode ngược: 60kV/μs (ở ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μs, Tjmax=175°C)
Điện áp Gate-Source (VGS): -20V đến 20V
Tiêu tán công suất (Pd): 300W (ở Tc=25°C)
Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55°C đến 175°C

Tính năng sản phẩm
IPB117N20NFD do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao. tích hợp nhiều công nghệ tiên tiến, mang lại các đặc tính chính sau:
Độ bền cao: Tối ưu hóa cho độ bền trong quá trình chuyển mạch cứng diode thân, cải thiện độ tin cậy của hệ thống trong môi trường chuyển mạch khắc nghiệt.
Công nghệ Diode nhanh: Kết hợp công nghệ diode nhanh (FD) Qrr thấp, giảm đáng kể điện tích và thời gian phục hồi ngược để có hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng như bộ nguồn chuyển mạch.
Hiệu quả năng lượng và mật độ công suất: Với các thông số Rds(on) và Qg hàng đầu trong ngành, IPB117N20NFD đạt được hiệu quả hệ thống và mật độ công suất cao hơn, cho phép các nhà thiết kế giảm diện tích sản phẩm.
Tuân thủ môi trường và an toàn: Tuân thủ RoHS và không chứa halogen, IPB117N20NFD đáp ứng các yêu cầu môi trường nghiêm ngặt đối với thiết bị điện tử hiện đại đồng thời mang lại đặc tính nhiệt độ tuyệt vời và độ ổn định lâu dài.

Kịch bản ứng dụng
IPB117N20NFD do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao. Thiết bị viễn thông: Cung cấp quản lý năng lượng hiệu quả cao.
Bộ nguồn công nghiệp: Đảm bảo cung cấp điện ổn định.
Bộ khuếch đại âm thanh Class D: Nâng cao hiệu suất trong các thiết bị âm thanh.
Điều khiển động cơ: Điều chỉnh chính xác hoạt động của động cơ.
Bộ biến tần DC-AC: Cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả.
Loại gói

IPB117N20NFD do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao.Tóm tắt

MOSFET công suất Infineon
IPB117N20NFD do Mingjiada Electronics cung cấp là MOSFET kênh N 200V hiệu suất cao, linh hoạt. Điện trở on thấp, tốc độ chuyển mạch cao và điện áp bật thấp của nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công suất lớn đa dạng. Cho dù trong viễn thông, bộ nguồn công nghiệp hay thiết bị âm thanh, IPB117N20NFD đều đáp ứng nhu cầu của người dùng về MOSFET công suất hiệu suất cao.Liên hệ với chúng tôi:

Liên hệ: Mr Chen
Điện thoại: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Website:
www.integrated-ic.com