Blog về công ty Infineon IPM018N10: 100V OptiMOS TM 5 MOSFET tuyến tính, cung cấp mật độ điện tối đa cho Hot-Swap và bảo vệ pin

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiadaduy trì nguồn cung cấp lâu dài các linh kiện Infineon chính hãng, có sẵn trong khoIPM018N10/IPM018N10NM5LF2—một MOSFET công suất kênh N 100V với công nghệ OptiMOS™ 5 Linear FET 2. Với điện trở bật thấp tới 1,7 mΩ, dòng điện cực máng liên tục lên tới 285 A và Vùng hoạt động an toàn (SOA) rộng, thiết bị này được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng bảo vệ—như hot-swap, cầu chì điện tử (e-Fuse) và hệ thống quản lý pin (BMS)—yêu cầu chịu được các dòng điện đột biến cao.

Tổng quan sản phẩm: Tiêu chuẩn cho công nghệ OptiMOS™ 5 Linear FET 2

IPM018N10 thuộc dòng OptiMOS™ 5 Linear FET 2 của Infineon và đóng vai trò là tiêu chuẩn hiệu suất cho phân khúc điện áp 100V trong nền tảng này. Thiết bị có gói mTOLG mới 8×8 mm (PG-HSOG-4-1), tương thích với các MOSFET gói cánh 8×8 mm² như LFPAK88 và là thiết bị có gói tiêu chuẩn được đăng ký JEDEC.

Triết lý thiết kế cốt lõi của sản phẩm này là kết hợp điện trở bật cực thấp với vùng hoạt động an toàn (SOA) rộng, được tối ưu hóa đặc biệt cho các mạch bảo vệ phải chịu được dòng điện khởi động và hoạt động ở chế độ tuyến tính.

IPM018N10 Thông số kỹ thuật chính

Điện áp cực máng - cực nguồn (VDS): 100 V

Dòng điện cực máng liên tục (ID): 285 A (Tc)

Điện trở bật (RDS(on)): Tối đa 1,7 mΩ @ 100 A, 15 V

Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +175°C

Loại gói: PG-HSOG-4-1 (8×8 mm mTOLG)

Điện tích cổng (Qg): 178 nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss): 14.000 pF @ 50V

IPM018N10 Các tính năng và lợi ích chính

Điện trở bật hàng đầu trong ngành: RDS(on) thấp tới 1,4 mΩ đến 1,7 mΩ, giảm đáng kể tổn thất dẫn và cải thiện hiệu quả năng lượng hệ thống

Vùng hoạt động an toàn (SOA) rộng: Khả năng hoạt động ở chế độ tuyến tính tuyệt vời, xử lý an toàn các dòng điện khởi động trong quá trình khởi động và các điều kiện lỗi

Mật độ công suất cao: Đạt công suất tiêu tán 349 W trong gói 8×8 mm nhỏ gọn, tiết kiệm đáng kể không gian PCB

Đặc tính truyền dẫn được tối ưu hóa: Phạm vi phân phối Vgs(th) hẹp hơn, cải thiện việc chia sẻ dòng điện khi nhiều thiết bị được kết nối song song

Kiểm tra đánh thủng 100%: Đảm bảo độ tin cậy của thiết bị trong các điều kiện hoạt động khắc nghiệt

Các ứng dụng chính

Sản phẩmIPM018N10 được thiết kế đặc biệt để trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng bảo vệ dòng điện đột biến và chuyển mạch mật độ công suất cao:

Hệ thống quản lý pin (BMS): Được sử dụng để bảo vệ mạch chính và mạch sạc trước trong các bộ pin để đảm bảo an toàn và độ tin cậy của hệ thống

Hot-Swap và Cầu chì điện tử (e-Fuse): Cung cấp giới hạn dòng điện mượt mà và bảo vệ ngắn mạch, ngăn chặn các đỉnh điện áp hoặc dòng điện phá hoại trong quá trình hot-swap

Nguồn cung cấp máy chủ (Server PSUs): Đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của trung tâm dữ liệu về các mô-đun nguồn hiệu suất cao, mật độ công suất cao

Cơ sở hạ tầng viễn thông: Thích hợp cho bảo vệ hot-swap và chuyển đổi nguồn trong nguồn cung cấp thiết bị truyền thông

Để yêu cầu báo giá sản phẩm, mẫu thử hoặc thông tin tồn kho, vui lòng liên hệ Mingjiada Electronics:

Liên hệ: Ông Trần

Điện thoại: 13410018555

Email: +86 sales@hkmjd.com

Trang web: https://www.integrated-ic.com/

Thẻ: IPM018N10NM5LF2, IPM018N10NM5LF, IPM018N10NM5L, IPM018N10NM5, IPM018N10NM, IPM018N10N, IPM018N10