Blog về công ty Infineon IPL65R165CFD CoolMOS TM N-Channel Power MOSFET Transistor

InfineonTrong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt. Transistor MOSFET công suất N-Channel CoolMOS™

Công ty TNHH Điện tử Thâm Quyến Mingjiada, với tư cách là nhà phân phối độc lập các linh kiện điện tử nổi tiếng toàn cầu, cung cấp các linh kiện chính hãng Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt. transistor công suất dòng CFD2 CoolMOS™. MOSFET kênh N 650V này sử dụng công nghệ Superjunction tiên tiến, mang lại hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng điện áp cao.

Cửa sổ phân phối RDS(on) hẹp hơn: Công nghệ CFD2 mang lại một cửa sổ hẹp hơn giữa các giá trị điện trở bật tối đa và điển hình, đảm bảo tính nhất quán thông số lớn hơn trong sản xuất thực tế. Điều này tăng cường khả năng dự đoán và độ tin cậy trong thiết kế hệ thống.Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.IPL65R165CFD

】

IPL65R165CFD là MOSFET công suất kênh N 650V của Infineon Technologies sử dụng công nghệ CoolMOS™ CFD2 (diode nhanh thế hệ thứ hai) tiên tiến. Là sản phẩm kế thừa của công nghệ CFD 600V, thiết bị này đạt được những cải tiến hơn nữa về hiệu quả năng lượng.Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.IPL65R165CFD

tích hợp một diode thân máy nhanh, cải thiện đáng kể hiệu suất chuyển mạch và độ tin cậy hoạt động. So với các sản phẩm cạnh tranh, nó mang lại hành vi chuyển mạch mềm mại hơn và hiệu suất nhiễu điện từ (EMI) vượt trội, điều này đặc biệt quan trọng trong môi trường điện tử phức tạp.Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt. sử dụng gói PG-VSON-4 (còn được gọi là 4-PowerTSFN hoặc VSON-4-EP), có kích thước 8,1x8,1mm. Thích hợp cho công nghệ gắn bề mặt, nó mang lại khả năng tản nhiệt và ổn định cơ học tuyệt vời.

【Thông số hiệu suất chính chi tiết của Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.】

Các thông số hiệu suất của IPL65R165CFD thể hiện những ưu điểm của nó trong các ứng dụng chuyển mạch điện:

Đặc tính điện áp và dòng điện: Thiết bị được đánh giá cho điện áp nguồn xả (Vdss) là 650V, cung cấp một biên độ an toàn trên các thiết bị 600V thông thường. Ở 25°C, dòng xả liên tục (Id) đạt 21,3A, cho phép nó xử lý công suất đáng kể.

Điện trở bật: Ở điện áp điều khiển cổng là 10V và dòng điện thử nghiệm là 9,3A, Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt. thể hiện điện trở bật tối đa (RDS(on)) chỉ 165mΩ. Điện trở bật thấp này trực tiếp chuyển thành giảm tổn thất dẫn điện, tăng cường hiệu quả năng lượng tổng thể của hệ thống.

Đặc tính chuyển mạch: Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt. thể hiện hiệu suất chuyển mạch vượt trội với điện tích cổng tối đa (Qg) là 86nC (@10V) và điện dung đầu vào (Ciss) là 2340pF (@100V). Điện tích và điện dung cổng thấp cho phép tốc độ chuyển mạch nhanh hơn và giảm tổn thất điều khiển.

Hiệu suất nhiệt: IPL65R165CFD đạt công suất tiêu tán tối đa là 195W (Tc) và hoạt động trong phạm vi nhiệt độ rộng từ -40°C đến +150°C, làm cho nó phù hợp với nhiều môi trường hoạt động khắc nghiệt khác nhau.

Cửa sổ phân phối RDS(on) hẹp hơn: Công nghệ CFD2 mang lại một cửa sổ hẹp hơn giữa các giá trị điện trở bật tối đa và điển hình, đảm bảo tính nhất quán thông số lớn hơn trong sản xuất thực tế. Điều này tăng cường khả năng dự đoán và độ tin cậy trong thiết kế hệ thống.Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.IPL65R165CFD

】

Công nghệ CoolMOS™ CFD2 được sử dụng trong IPL65R165CFD mang lại nhiều cải tiến:

Diode thân máy nhanh tích hợp: So với MOSFET thông thường, công nghệ CFD2 kết hợp một diode thân máy nhanh với điện tích phục hồi ngược thấp (Qrr) trong quá trình chuyển mạch diode thân máy lặp đi lặp lại. Điều này làm giảm đáng kể tổn thất chuyển mạch, làm cho nó đặc biệt phù hợp với các ứng dụng topo cộng hưởng.Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.IPL65R165CFD

có khả năng giới hạn tốc độ tăng dòng điện và điện áp vốn có. Điều này hỗ trợ hạn chế vượt quá điện áp trong các mạch thực tế, giảm sự phụ thuộc vào các mạch đệm bên ngoài và đơn giản hóa thiết kế hệ thống.

Điện tích đầu ra thấp (Qoss): Đặc tính điện tích đầu ra thấp giảm thiểu thời gian trễ chuyển mạch và tăng cường tiềm năng tần số chuyển mạch. Điều này cho phép các nhà thiết kế sử dụng các linh kiện từ tính nhỏ hơn, do đó làm tăng mật độ công suất.

Cửa sổ phân phối RDS(on) hẹp hơn: Công nghệ CFD2 mang lại một cửa sổ hẹp hơn giữa các giá trị điện trở bật tối đa và điển hình, đảm bảo tính nhất quán thông số lớn hơn trong sản xuất thực tế. Điều này tăng cường khả năng dự đoán và độ tin cậy trong thiết kế hệ thống.Trong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.Lĩnh vực ứng dụng và Ưu điểm thiết kế của

IPL65R165CFD

】

IPL65R165CFD phù hợp với nhiều ứng dụng đòi hỏi hiệu quả và độ tin cậy cao:

Cơ sở hạ tầng truyền thông: Máy chủ, hệ thống điện viễn thông

Năng lượng tái tạo: Bộ biến tần năng lượng mặt trời

Ứng dụng công nghiệp: Chấn lưu đèn HID, điều khiển động cơ

Điện tử tiêu dùng: Trình điều khiển chiếu sáng LED

Tính di động điện: Sạc pin, bộ chuyển đổi DC/DCTrong các ứng dụng này, các đặc tính chuyển mạch nhanh và tổn thất chuyển mạch thấp của IPL65R165CFD cho phép các hệ thống hoạt động ở tần số cao hơn. Điều này làm giảm kích thước và trọng lượng của các linh kiện thụ động đồng thời tăng mật độ công suất. Các đặc tính EMI vượt trội của nó đơn giản hóa thiết kế bộ lọc, hỗ trợ tuân thủ các tiêu chuẩn tương thích điện từ nghiêm ngặt.Đối với các nhà thiết kế nguồn điện, các yêu cầu điều khiển tương đối đơn giản của