Blog về công ty Infineon IPD50P04P4L-11 P-Channel OptiMOSTM-P2 MOSFET Transistors ô tô

InfineonIPD50P04P4L-11P-Channel OptiMOSTM-P2 MOSFET Transistors ô tô

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd,Là một nhà phân phối linh kiện điện tử nổi tiếng trên toàn cầu, chuyên cung cấp cho InfineonIPD50P04P4L-11P-channel OptiMOSTM-P2 MOSFET cho ô tô. Được thiết kế cho các ứng dụng điện tử ô tô, các MOSFET hiệu suất cao này có hiệu quả cao, mất mát thấp và độ tin cậy cao.làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng như quản lý năng lượng xe điện, hệ thống quản lý pin (BMS) và bộ sạc trên xe.

Tổng quan về sản phẩmIPD50P04P4L-11
IPD50P04P4L-11 là một MOSFET nguồn P-channel trong gia đình OptiMOS TM-P2 của Infineon, được sản xuất bằng cách sử dụng công nghệ rãnh tiên tiến với các tính năng cốt lõi sau:

Các thông số điện áp và dòng điện: 40V chịu điện áp, 50A dòng chảy liên tục
Gói: Gói PG-TO252-3 (DPAK), phù hợp với thiết kế PCB mật độ cao
Kháng hoạt động: Đặc điểm RDS ((on) rất thấp, giảm đáng kể tổn thất trạng thái hoạt động.
Hiệu suất chuyển mạch: Lượng cổng tối ưu hóa (Qg) và công suất đầu ra (Coss) cho chuyển mạch hiệu quả cao
Phạm vi nhiệt độ: Phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng cho các ứng dụng cấp ô tô

Ưu điểm sản phẩmIPD50P04P4L-11

1Hiệu suất điện tuyệt vời.
IPD50P04P4L-11 áp dụng công nghệ OptiMOSTM-P2 tiên tiến của Infineon, có:
Phản kháng hoạt động thấp hơn (RDS(on)) để giảm mất điện
Khả năng chuyển tần cao hơn để cải thiện hiệu quả hệ thống
Tính năng diode cơ thể được tối ưu hóa để cải thiện hiệu suất phục hồi ngược
Hiệu suất nhiệt được cải thiện để tăng mật độ công suất

2. Độ tin cậy của ô tô
Là một MOSFET cấp ô tô, IPD50P04P4L-11 đáp ứng các tiêu chuẩn điện tử ô tô nghiêm ngặt:
Chứng nhận AEC-Q101 để đảm bảo độ tin cậy trong môi trường khắc nghiệt
Khả năng chống rung và va chạm tuyệt vời
Khả năng nhiệt độ cao cho khoang động cơ và các môi trường nhiệt độ cao khác
Bảo đảm cung cấp dài hạn để đáp ứng các yêu cầu vòng đời sản phẩm ô tô

3. Phạm vi ứng dụng rộng
IPD50P04P4L-11 phù hợp với một loạt các hệ thống điện tử ô tô:
Xe điện / lai: bộ sạc trên xe (OBC), bộ chuyển đổi DC-DC, hệ thống quản lý pin (BMS).
Điện tử ô tô truyền thống: điều khiển phụ trợ điện (EPS), hệ thống tiêm nhiên liệu, máy bơm nước / điều khiển máy bơm nhiên liệu
Điện tử cơ thể: khóa cửa thông minh, điều chỉnh ghế, điều khiển cửa sổ
Hệ thống thông tin giải trí: quản lý năng lượng, bộ khuếch đại âm thanh

Các thông số kỹ thuật củaIPD50P04P4L-11
Độ cực của bóng bán dẫn:P-Channel
Số kênh: 1 kênh
Vds - Điện áp ngắt nguồn thoát nước: 40 V
Id - Dòng chảy liên tục:50 A
Rds On - Kháng thoát nguồn:17.2 mOhms
Vgs - Điện áp nguồn cổng:- 16 V, + 5 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng nguồn cổng:1.2 V
Qg - Gate Charge:45 nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:- 55 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 175 C
Pd - Phân tán năng lượng:58 W
Thời gian rơi:39 ns
Chiều cao:2.3 mm
Chiều dài:6.5 mm
Loại sản phẩm:MOSFET
Thời gian tăng: 9 ns
Thời gian trì hoãn tắt thông thường:46 ns
Thời gian trì hoãn bật thông thường:12 ns
Chiều rộng:6.22 mm
Trọng lượng đơn vị: 330 mg

Giải pháp ứng dụngIPD50P04P4L-11

1Hệ thống quản lý năng lượng ô tô
Các ứng dụng điển hình của IPD50P04P4L-11 trong các hệ thống quản lý năng lượng ô tô bao gồm:

Chuyển tải: để điều khiển bật/tắt tải lượng lớn
Bảo vệ cực ngược: ngăn chặn kết nối pin ngược từ các mạch bị hư hại
Quản lý đường dẫn điện: Chuyển mạch liền mạch trong nhiều hệ thống điện
Các mạch sạc trước: giới hạn điện tích điện tích tụ và bảo vệ các bộ tiếp xúc

2Ứng dụng động cơ
Với khả năng dòng điện cao và kháng cự điện thấp, IPD50P04P4L-11 lý tưởng để sử dụng trong:

Động cơ DC nhỏ
Điều khiển động cơ bước
Máy truyền động cơ quạt/bơm
Động cơ ghế điện / cửa sổ

3. Topology cầu H
Trong mạch cầu H đòi hỏi điều khiển hai chiều, IPD50P04P4L-11 có thể được sử dụng với các MOSFET kênh N để đạt được:

Điều khiển động cơ DC về phía trước và phía sau
Động lực van điện tử
Các ứng dụng khác đòi hỏi dòng điện hai chiều