Blog về công ty Infineon giới thiệu CoolGaNTM Transistor GS-065-018-2-L-MR: Hiệu suất và độ tin cậy cực kỳ cao

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd [Supply] Infineon GS-065-018-2-L-MR CoolGaNTM Transistors 650 V ≤ G3 với hiệu suất và độ tin cậy rất cao.

Tổng quan:

GS-065-018-2-L-MR là một GaN nâng cao trên bóng bán dẫn điện silicon.Transistor làm mát dưới cùng trong gói PDFN 8x8 mm cho phép tiêu thụ điện lý tưởng cần thiết cho các bộ điều hợp và bộ sạc USB-C hiện đại hoặc các ứng dụng máy chủ và trung tâm dữ liệu.

Mô hình: GS-065-018-2-L-MR

Năm: 24+

Gói: PDFN 8x8

Mô tả: Đèn bề mặt N-Channel 650 V 18A (Tc) 8-PDFN (8x8)

Đặc điểm

• HEMT tăng cường - Thông thường đóng
• Chuyển đổi cực nhanh
• Không tính phí thu hồi ngược
• Khả năng dẫn ngược
• Sạc cổng thấp, sạc đầu ra thấp
• Sức mạnh chuyển đổi tuyệt vời
• Tiêu chuẩn JEDEC (JESD47, JESD22)
• Làm mát đáy
• Không có lỗ thu hồi ngược
• Pad phát hiện nguồn cho ổ cổng tối ưu
• Thời gian giảm và tăng nhanh, có kiểm soát
• Phù hợp với RoHS 3 ((6+4)

Các lĩnh vực ứng dụng

• AC-DC
• Điện USB - Bộ điều hợp và bộ sạc USB PD
• Các nguồn điện
• Công nghiệp

Nếu bạn có bất kỳ yêu cầu nào, xin vui lòng tự do liên hệ với ông Chen qua điện thoại:

Điện thoại: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Nhà:www.hkmjd.com