Blog về công ty Infineon MOSFET ô tô IAUT165N08S5N029 OptiMOSTM-5 Tranzit MOSFET ô tô

Infineon Automotive MOSFETIAUT165N08S5N029OptiMOSTM-5 Tranzit MOSFET ô tô

Mô tả sản phẩmIAUT165N08S5N029
IAUT165N08S5N029là 80V 2,9 mΩ OptiMOSTM-5 Tranzit MOSFET kênh N ô tô.

Thông số kỹ thuật củaIAUT165N08S5N029
Độ cực của bóng bán dẫn:N-Channel
Số kênh: 1 kênh
Vds - Điện áp ngắt nguồn thoát nước:80 V
Id - Dòng chảy liên tục:165 A
Rds On - Kháng thoát nguồn:2.9 mOhms
Vgs - Điện áp nguồn cổng:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng nguồn cổng:2.2 V
Qg - Lượng cổng:90 nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:- 55 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 175 C
Pd - Phân tán năng lượng:167 W

Đặc điểm củaIAUT165N08S5N029
N-channel - Chế độ tăng cường
AEC đủ điều kiện
MSL1 lên đến 260 °C dòng chảy trở lại đỉnh
Nhiệt độ hoạt động 175°C
Sản phẩm xanh (đối với RoHS)
Rds cực thấp (được bật)
100% Avalanche thử nghiệm

Ứng dụng củaIAUT165N08S5N029
Chuyển đổi DC-DC 48V đến 12V
Chuyển đổi DC-DC điện áp cao cho xe điện
Mô-đun điều khiển HVAC
Dải LED và biển báo