Blog về công ty ADI HMC441LC3BTR GaAs pHEMT MMIC Bộ khuếch đại công suất trung bình

ADIHMC441LC3BTRGaAs pHEMT MMIC Lượng tăng cường trung bình

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Là nhà phân phối các thành phần điện tử nổi tiếng trên toàn cầu, đã cung cấp bộ khuếch đại điện lực trung bình của ADI HMC441LC3BTR gallium arsenide pHEMT MMIC.Thiết bị RF hiệu suất cao này cho thấy đặc điểm điện đặc biệt trên băng tần 6GHz đến 18GHz, tìm thấy ứng dụng rộng rãi trong các hệ thống vô tuyến điểm đến điểm, hệ thống VSAT, thiết bị chiến tranh điện tử quân sự và các lĩnh vực cao cấp khác.

Tổng quan sản phẩm và thông số kỹ thuật củaHMC441LC3BTR:

HMC441LC3BTR là một bộ khuếch đại hiệu suất cao gallium arsenide pHEMT (tranxistor di động điện tử cao hình giả) MMIC (đường mạch tích hợp vi sóng đơn khối) công suất trung bình,có gói gắn bề mặt không chì phù hợp với các tiêu chuẩn RoHSSản phẩm HMC441LC3BTR này nổi tiếng trong lĩnh vực khuếch đại RF cho các chỉ số hiệu suất xuất sắc và khả năng thích nghi ứng dụng rộng.

Về bao bì,HMC441LC3BTR áp dụng gói 12-VFCQFN (12-pin lộ-pad quad phẳng không chì) với kích thước nhỏ gọn 3x3mm, phù hợp với xu hướng hiện đại hướng đến thu nhỏ và tích hợp cao trong thiết kế thiết bị điện tử.Bao bì này không chỉ cung cấp hiệu suất nhiệt tuyệt vời cho quản lý nhiệt hiệu quả mà còn tương thích với các quy trình sản xuất gắn bề mặt khối lượng lớn, đơn giản hóa đáng kể quy trình làm việc sản xuất.

Các thông số kỹ thuật chính củaHMC441LC3BTRbao gồm:

Phạm vi tần số hoạt động: 6 GHz đến 18 GHz, bao gồm băng tần C, X và Ku

Tăng: 14 dB (thường), cung cấp khả năng khuếch đại tín hiệu ổn định

Năng lượng đầu ra bão hòa: + 21,5 dBm (khoảng 141 mW), phù hợp với các kịch bản ứng dụng công suất trung bình

Hiệu quả năng lượng bổ sung (PAE): 27%, vượt trội hơn các sản phẩm tương đương về hiệu quả năng lượng

Năng lượng đầu ra điểm nén 1dB (P1dB): 20dBm, đảm bảo một vùng hoạt động tuyến tính đủ rộng

Con số tiếng ồn: 4,5dB, trong số các mức thấp nhất trong các bộ khuếch đại công suất

Điện áp hoạt động: Cung cấp điện 5V duy nhất, đơn giản hóa thiết kế nguồn điện hệ thống

Điện hoạt động: 115mA, với điều khiển tiêu thụ điện hợp lý

Một lợi thế thiết kế quan trọng củaHMC441LC3BTRlà mạng lưới khớp 50 ohm tích hợp đầy đủ, có nghĩa là các kỹ sư không cần thiết kế các mạch khớp trở trở phức tạp hoặc sử dụng các thành phần bên ngoài khi áp dụng thiết bị này,đơn giản hóa rất nhiều quá trình thiết kế hệ thống RFCả hai cổng đầu vào và đầu ra đều có thiết kế chặn DC, tạo điều kiện cho việc tích hợp hệ thống.

Các tính năng hiệu suất và lợi thế thiết kế củaHMC441LC3BTR:

Là một bộ khuếch đại công suất trung bình dựa trên công nghệ pHEMT gallium arsenide, HMC441LC3BTR cung cấp nhiều lợi thế về hiệu suất RF, tích hợp và độ tin cậy,làm cho nó trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng tần số cao.

Hiệu suất băng thông rộng là một trong những tính năng nổi bật nhất củaHMC441LC3BTRDải tần số hoạt động liên tục từ 6 GHz đến 18 GHz bao gồm nhiều băng tần RF quan trọng, bao gồm băng tần C (4-8 GHz), băng tần X (8-12 GHz) và băng tần Ku (12-18 GHz).Khả năng băng thông rộng này cho phép một thiết bị duy nhất đáp ứng nhu cầu của nhiều ứng dụng, giảm đáng kể sự phức tạp của chuyển đổi băng tần trong thiết kế hệ thống đồng thời giảm chi phí quản lý vật liệu và hàng tồn kho.

Về hiệu suất,HMC441LC3BTRcung cấp sức mạnh đầu ra bão hòa + 21,5dBm và sức mạnh đầu ra điểm nén 20dBm 1dB, kết hợp với tăng 14dB, làm cho nó trở thành một khối tăng hoặc trình điều khiển tuyến tính tuyệt vời.Hiệu quả năng lượng bổ sung 27% (PAE) là xuất sắc, có nghĩa là nhiều năng lượng DC được chuyển đổi thành năng lượng đầu ra RF hữu ích, giảm yêu cầu phân tán nhiệt hệ thống.thiết bị này dựa trên công nghệ pHEMT arsenide gallium cung cấp những lợi thế đáng kể về hiệu quả, đặc điểm tần số và ổn định nhiệt độ.

Sự thuận tiện tích hợp hệ thống là một điểm nổi bật quan trọng khác của HMC441LC3BTR. Sự phù hợp đầu vào / đầu ra 50 ohm tích hợp hoàn toàn loại bỏ sự cần thiết phải thiết kế mạng phù hợp bên ngoài,trong khi các cổng đầu vào / đầu ra bị chặn DC đơn giản hóa thiết kế mạch thiên vịCác tính năng này tập hợp lại làm cho thiết bị một giải pháp RF "plug-and-play"giảm đáng kể chu kỳ phát triển sản phẩm.

Từ góc độ độ tin cậy, công nghệ pHEMT gallium arsenide cung cấp khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao và khả năng chống bức xạ tuyệt vời.Kết hợp với hệ thống kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt của ADI, điều này đảm bảoHMC441LC3BTRhoạt động đáng tin cậy trong môi trường khắc nghiệt.đảm bảo rằng mọi thiết bị được cung cấp đều là sản phẩm gốc trực tiếp từ nhà máy và cung cấp các dịch vụ truy xuất nguồn gốc chất lượng đầy đủ.

Các lĩnh vực ứng dụng điển hình choHMC441LC3BTR:

Trong các hệ thống truyền thông vô tuyến điểm đến điểm, HMC441LC3BTR thường được sử dụng như một bộ khuếch đại trình điều khiển trong băng tần trung gian (IF) hoặc băng tần vô tuyến (RF).Đặc điểm băng thông rộng của nó đặc biệt phù hợp với các hệ thống liên kết vi sóng hoạt động trên nhiều băng tần, trong khi tính tuyến tính tuyệt vời của nó đảm bảo truyền tín hiệu điều chỉnh bậc cao chất lượng cao như 256QAM hoặc 1024QAM.Tăng tỷ lệ tín hiệu-tầm ồn tổng thể của hệ thống.

Hệ thống truyền thông vệ tinh, đặc biệt là thiết bị VSAT (Very Small Aperture Terminal), đại diện cho một kịch bản ứng dụng chính khác cho bộ khuếch đại này.Truyền thông vệ tinh băng tần Ku (12-18 GHz), HMC441LC3BTR có thể phục vụ như một giai đoạn truyền động năng lượng sau một bộ chuyển đổi lên hoặc như một giai đoạn tăng sau một bộ khuếch đại tiếng ồn thấp trong downlink.Hiệu suất ổn định và bao bì nhỏ gọn của nó làm cho nó đặc biệt phù hợp với thiết bị đầu cuối VSAT không gian hạn chế.

Các hệ thống điện tử quân sự có nhu cầu bền vững vềHMC441LC3BTRTrong chiến tranh điện tử (EW) và các thiết bị phản ứng điện tử (ECM), bộ khuếch đại này có thể được sử dụng trong các chuỗi tạo tín hiệu nhiễu hoặc đầu đầu máy thu.Đặc điểm băng thông rộng của nó cho phép nó bao gồm nhiều tần số đe dọa, trong khi khả năng chống bức xạ vốn có của công nghệ gallium arsenide (GaAs) làm tăng độ tin cậy trong môi trường điện từ khắc nghiệt.

Ngoài ra,HMC441LC3BTRrất phù hợp để sử dụng như một trình điều khiển dao động cục bộ (LO) cho máy trộn. Trong kiến trúc máy thu siêu hetero,điều khiển cổng LO của máy trộn đòi hỏi đủ sức mạnh để đảm bảo hiệu quả chuyển đổi tốt, đồng thời yêu cầu tiếng ồn pha thấp để tránh làm suy giảm hiệu suất tiếng ồn của hệ thống.

Trong thiết bị thử nghiệm và đo lườngHMC441LC3BTRcó thể phục vụ như một bộ khuếch đại bổ sung cho giai đoạn đầu ra của nguồn tín hiệu hoặc cung cấp tăng cần thiết trong kênh nhận.Mức phủ băng thông rộng từ 6 đến 18 GHz làm giảm số lượng bộ khuếch đại cần thiết trong hệ thống thử nghiệm, đơn giản hóa thiết kế thiết bị.