A5G26H605W19NR3 Chip mạch tích hợp MOSFET tăng cường kênh N Transistor 85 W cho 2496 đến 2690 MHz với trở kháng đầu cuối cao

Tranzistor RF công suất GaN Doherty bất đối xứng A5G26H605W19NR3 85 W được thiết kế cho các ứng dụng trạm gốc di động yêu cầu khả năng băng thông tức thời rất rộng, bao phủ dải tần từ 2496 đến 2690 MHz.

• Trở kháng đầu cuối cao cho hiệu suất băng rộng tối ưu
• Doherty tích hợp hiệu suất cao tiên tiến
• Cải thiện sai số vector biên độ tuyến tính với tín hiệu thế hệ tiếp theo
• Có khả năng chịu VSWR đầu ra cực cao và điều kiện hoạt động băng rộng
• Vỏ nhựa
• Tuân thủ RoHS

• Hơn 15 năm kinh nghiệm về linh kiện điện tử
• Đặt hàng an toàn
• Phản hồi xuất sắc
• Ngày giao hàng được đảm bảo
• Đảm bảo giá thấp 100%
• Xuất khẩu tới 108 quốc gia, tỷ lệ hài lòng của khách hàng: 99,9%

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. là nhà phân phối độc lập được ủy quyền các linh kiện điện tử của các thương hiệu nổi tiếng thế giới. Được thành lập tại Thâm Quyến vào năm 1996, Mingjiada đã lần lượt thành lập các chi nhánh tại Hồng Kông, Nhật Bản, Nga và Đài Loan. Chúng tôi đã vượt qua các chứng nhận được thực hiện theo ISO9001:2014 cho hệ thống quản lý chất lượng và ISO14001:2014 cho hệ thống quản lý môi trường.

Với đội ngũ giàu kinh nghiệm về bán hàng, R&D và quản lý, chúng tôi chuyên phân phối các sản phẩm từ hơn 500 nhà sản xuất nổi tiếng. Tuân thủ phương châm "tối đa hóa lợi ích cho khách hàng", chúng tôi cung cấp đầy đủ các sản phẩm và cũng cung cấp dịch vụ chất lượng cao, phản hồi nhanh chóng với đội ngũ hậu cần và dịch vụ khách hàng chuyên nghiệp của chúng tôi. Mingjiada đã phát triển thành một nhà phân phối linh kiện điện tử lớn (được ủy quyền và không được ủy quyền) nổi tiếng trên thị trường IC trong và ngoài nước.